با پیشرفت در فن­آوری­های CMOS این امکان بوجود آمد که مدارات مجتمع و از جمله حافظه ­ها را در ظرفیت‌های بالا پیاده­ سازی نمود. حافظه دسترسی تصادفی ایستا (SRAM) نیز از این قاعده مستثنی نبوده و بطور گسترده ­ای به عنوان حافظه نمایش­ دهنده منطق LSI استفاده می­شود. همچنین بدلیل استفاده از فرآیند مدارات منطقی مشابه از هزینه فرآیند اضافی می­ کاهد. طراحی مناسب سلول و آرایه سلول SRAM جهت دستیابی به  عملکرد بالا، توان کم، هزینه پایین و منطق LSI قابل اطمینان امری اجتناب‌ناپذیر است.

ویژگی مهم این کتاب، سادگی بیان ساختارهای مختلف SRAM با استفاده از فن­آوری­ های CMOS و مشکلات و مزایای هرکدام می‌باشد. ارائه شبیه‌سازی نیز در فهم هرچه بیشتر این ساختارها به خواننده کمک می‌کند.

خواهشمند است نظرات انتقادی خود را در مورد کتاب با مدیریت انتشارات از طریق ایمیل و یا  شماره تلفن های انتشارات در میان و پیشنهادات خود را جهت بهبود و رفع کاستی ها اعلام فرمایید.